رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPU135N03L G
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPU135N03L G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 30A TO251-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 30A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO251-3
المخزون:
12803708
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPU135N03L G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
30A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
13.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1000 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
31W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO251-3
العبوة / العلبة
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
رقم المنتج الأساسي
IPU135N
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,500
اسماء اخرى
IPU135N03LGIN
IPU135N03LGXK
SP000260752
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPB05CN10N G
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
IPL65R340CFDAUMA1
MOSFET N-CH 650V 10.9A THIN-PAK
IRFS3306TRLPBF
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
